与超频版骁龙 8 Gen 2 相比 Gen3 的性能提升 13% 功耗却增加了 28%

迄今为止，骁龙 8 Gen3 的一系列功能给人留下了深刻印象，这些功能主要集中在 CPU 和 GPU 性能的提升，以及对硬件加速光线追踪、人工智能等的支持。然而，高通公司的最新 SoC 要想在与 Galaxy 的骁龙 8 Gen 2 的竞争中取得可观的优势，就必须提高其最大功耗，这反过来又对其效率产生了负面影响。让我们看看最新的细节和性能结果。

与 Galaxy 的骁龙 8 Gen 2 一样，骁龙 8 Gen 3 也采用了单个高性能核心，但今年高通另辟蹊径，提高了所有 Cortex-A720 核心的时钟速度，这将有助于提升 SoC 的多核性能。遗憾的是，X 网友 Golden Reviewer 在搭载骁龙 8 代 3 的小米 14 Pro 上进行了 SPECint06 大核基准测试，发现虽然后者获得了 69.28 分，比超频后的骁龙 8 Gen2 的 60.86 分高出 13%，但却是以功耗大大提升为代价的，后者的功耗达到了 6.27 瓦。

这一数字比 Galaxy 8 代骁龙 2 的功耗高出 28%，最高功耗为 4.90 瓦，每瓦性能得分高于骁龙 8 Gen 3。

这样一来，普通版骁龙 8 Gen 2 的能效甚至比骁龙 8 Gen 3 更高，这暗示高通公司今年坚持使用台积电的 4 纳米 "N4P" 工艺可能已经达到了极限，不得不通过提高功耗来弥补性能差异。这些变化会导致温度升高、电池续航迅速缩短以及其他不利因素。